Drukāt lapu
IMW65R050M2HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMW65R050M2HXKSA1
Pasūtījuma kods4378742
Produktu klāstsCoolSiC Gen 2 Series
Zināms arī kāIMW65R050M2H, SP005917213
Tehnisko datu lapa
279 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 7,660 € |
| 5+ | 6,070 € |
| 10+ | 4,470 € |
| 50+ | 4,290 € |
| 100+ | 4,100 € |
| 250+ | 4,020 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
7,66 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IMW65R050M2HXKSA1
Pasūtījuma kods4378742
Produktu klāstsCoolSiC Gen 2 Series
Zināms arī kāIMW65R050M2H, SP005917213
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation153W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
153W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.001
Produkta izsekojamība