Drukāt lapu
IRF1010EZPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 84 A, 8500 µohm, TO-220AB, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRF1010EZPBF
Pasūtījuma kods8657327
Zināms arī kāSP001571244
Tehnisko datu lapa
1 367 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1,080 € |
| 10+ | 0,665 € |
| 100+ | 0,655 € |
| 500+ | 0,635 € |
| 1000+ | 0,594 € |
| 5000+ | 0,553 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1,08 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRF1010EZPBF
Pasūtījuma kods8657327
Zināms arī kāSP001571244
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id84A
Drain Source On State Resistance8500µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The IRF1010EZPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Lietošanas veidi
Automotive, Power Management
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
84A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (3)
IRF1010EZPBF alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002654
Produkta izsekojamība