Drukāt lapu
IRF3205ZPBF
Power MOSFET, Automotive, N Channel, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRF3205ZPBF
Pasūtījuma kods8210640
Zināms arī kāSP001574672
Tehnisko datu lapa
2 823 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
.
.
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1,980 € |
| 10+ | 0,889 € |
| 100+ | 0,804 € |
| 500+ | 0,742 € |
| 1000+ | 0,694 € |
| 5000+ | 0,680 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1,98 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRF3205ZPBF
Pasūtījuma kods8210640
Zināms arī kāSP001574672
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance6500µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The IRF3205ZPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Lietošanas veidi
Automotive, Power Management
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
6500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (1)
IRF3205ZPBF alternatīvas
Atrasti 5 produkti
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002