Drukāt lapu
IRF4905PBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRF4905PBF
Pasūtījuma kods8648190
Produktu klāstsHEXFET Series
Zināms arī kāSP001571330
Tehnisko datu lapa
73 929 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 2,750 € |
| 10+ | 2,000 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 0,884 € |
| 1000+ | 0,819 € |
| 5000+ | 0,803 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
2,75 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRF4905PBF
Pasūtījuma kods8648190
Produktu klāstsHEXFET Series
Zināms arī kāSP001571330
Tehnisko datu lapa
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id74A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The IRF4905PBF is -55V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -55V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 20mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 200W at 25°C
- Continuous drain current Id of -74A at Vgs 10V and 25°C
- Junction temperature range from -55°C to 175°C
Tehniskie parametri
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
74A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002041