Drukāt lapu
IRF530NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRF530NPBF
Pasūtījuma kods8648263
Produktu klāstsHEXFET Series
Zināms arī kāSP001570120
Tehnisko datu lapa
2 655 Noliktavā
6 000 Tagad varat rezervēt krājumus
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 0,958 € |
| 10+ | 0,683 € |
| 100+ | 0,567 € |
| 500+ | 0,426 € |
| 1000+ | 0,390 € |
| 5000+ | 0,341 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
0,96 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRF530NPBF
Pasūtījuma kods8648263
Produktu klāstsHEXFET Series
Zināms arī kāSP001570120
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The IRF530NPBF from Infineon is a 100V single N channel HEXFET power MOSFET in a TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on-resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and is fully avalanche rated. As a result, these power MOSFETs are known to provide extreme efficiency and reliability which can be used in a wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 90mohm at Vgs of 10V
- Power dissipation Pd of 70W at 25°C
- Continuous drain current Id of 17A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Lietošanas veidi
Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (3)
IRF530NPBF alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.001814