Drukāt lapu
IRFI3205PBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 64 A, 8000 µohm, TO-220FP, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRFI3205PBF
Pasūtījuma kods8648921
Zināms arī kāSP001570864
Tehnisko datu lapa
2 523 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 2,980 € |
| 10+ | 1,440 € |
| 100+ | 1,360 € |
| 500+ | 1,020 € |
| 1000+ | 0,948 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
2,98 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRFI3205PBF
Pasūtījuma kods8648921
Zināms arī kāSP001570864
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Isolated package
- Fully avalanche rating
- 2.5KVRMS high voltage isolation
- 4.8mm sink to lead creepage distance
- Dynamic dv/dt rating and low RDS(on)
- Industry-leading quality
- Fast switching
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (1)
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002808
Produkta izsekojamība