Drukāt lapu
IRLML6401TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRLML6401TRPBF
Pasūtījuma kods1463267
Produktu klāstsHEXFET Series
Zināms arī kāSP001577044
Tehnisko datu lapa
134 326 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 0,389 € |
| 50+ | 0,218 € |
| 250+ | 0,140 € |
| 1000+ | 0,109 € |
| 3000+ | 0,0868 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
1,94 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRLML6401TRPBF
Pasūtījuma kods1463267
Produktu klāstsHEXFET Series
Zināms arī kāSP001577044
Tehnisko datu lapa
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The IRLML6401TRPBF is a -12V single P-channel HEXFET Power MOSFET, compatible with existing surface mount techniques. This MOSFET features increased reliability and easier manufacturing.
- Halogen-free
- MSL1, Industrial qualification
- Multi-vendor compatibility
- Environmentally-friendly
- Trench MOSFET technology
- ±8V Gate to source voltage
- 0.01W/°C Linear derating factor
Lietošanas veidi
Power Management
Tehniskie parametri
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (3)
IRLML6401TRPBF alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.13
Produkta izsekojamība