Drukāt lapu
IRLZ44NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Through Hole
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRLZ44NPBF
Pasūtījuma kods8651418
Produktu klāstsHEXFET Series
Zināms arī kāSP001568772
Tehnisko datu lapa
90 530 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1,190 € |
| 10+ | 1,180 € |
| 100+ | 0,582 € |
| 500+ | 0,533 € |
| 1000+ | 0,497 € |
| 5000+ | 0,441 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1,19 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRLZ44NPBF
Pasūtījuma kods8651418
Produktu klāstsHEXFET Series
Zināms arī kāSP001568772
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The IRLZ44NPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
- 175°C Operating temperature
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- Logic level gate drive
Lietošanas veidi
Power Management
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
IRLZ44NPBF alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002041