Drukāt lapu
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRSM807-105MH
Pasūtījuma kods2781306
Produktu klāstsCIPOS Nano
Zināms arī kāSP001543516
Tehnisko datu lapa
1 270 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
Pieejams, kamēr ir noliktavā
Daudzums | |
---|---|
1+ | 4,050 € |
10+ | 3,210 € |
25+ | 3,200 € |
50+ | 2,940 € |
100+ | 2,610 € |
500+ | 2,280 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
4,05 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.IRSM807-105MH
Pasūtījuma kods2781306
Produktu klāstsCIPOS Nano
Zināms arī kāSP001543516
Tehnisko datu lapa
IPM Power DeviceMOSFET
Voltage Rating (Vces / Vdss)500V
Current Rating (Ic / Id)10A
Isolation Voltage1.5kV
IPM Case StyleQFN-EP
IPM SeriesCIPOS Nano
Product RangeCIPOS Nano
Produktu pārskats
IRSM807-105MH is a half-bridge module designed for advanced appliances motor drive applications such as energy-efficient fans and pumps. IR's technology offers an extremely compact, high-performance half-bridge topology in an isolated package. This advanced IPM offers a combination of IR's low RDS(on) Trench FREDFET technology and the industry benchmark half-bridge high voltage, rugged driver in a small PQFN package. At only 8x9mm and featuring integrated bootstrap functionality, the compact footprint of this surface-mount package makes it suitable for applications that are space-constrained. IRSM807-105MH functions without a heat sink.
- Integrated gate drivers and bootstrap functionality
- Suitable for sinusoidal modulation applications
- Low RDS(on) Trench FREDFET
- Under-voltage lockout for both channels
- Matched propagation delay for all channels
- Optimized dV/dt for loss and EMI trade offs
- 3.3V input logic compatible
- Active high HIN and LIN, motor power range from 80 to 200W
- Isolation 1500VRMS minimum
- PQFN package, maximum operating junction temperature is 150°C
Tehniskie parametri
IPM Power Device
MOSFET
Current Rating (Ic / Id)
10A
IPM Case Style
QFN-EP
Product Range
CIPOS Nano
Voltage Rating (Vces / Vdss)
500V
Isolation Voltage
1.5kV
IPM Series
CIPOS Nano
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85423911
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000256
Produkta izsekojamība