Drukāt lapu
ISZ040N03L5ISATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 3300 µohm, TSDSON-FL, Surface Mount
8 047 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
Pieejams, kamēr ir noliktavā
| Daudzums | |
|---|---|
| 100+ | 0,170 € |
| 500+ | 0,155 € |
| 1000+ | 0,152 € |
| 5000+ | 0,150 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 1
22,00 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsINFINEON
Ražotāja detaļas Nr.ISZ040N03L5ISATMA1
Pasūtījuma kods3577379RL
Produktu klāstsOptiMOS
Zināms arī kāISZ040N03L5IS, SP005408582
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleTSDSON-FL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd37W
Power Dissipation37W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Case Style
TSDSON-FL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
37W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
37W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000121
Produkta izsekojamība