Drukāt lapu
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsIXYS SEMICONDUCTOR
Ražotāja detaļas Nr.DSEI2X30-10B
Pasūtījuma kods2674732
Produktu klāstsDSEI
Tehnisko datu lapa
Vairs nav pieejams noliktavā
Informācija par produktiem
RažotājsIXYS SEMICONDUCTOR
Ražotāja detaļas Nr.DSEI2X30-10B
Pasūtījuma kods2674732
Produktu klāstsDSEI
Tehnisko datu lapa
Repetitive Peak Reverse Voltage1kV
Average Forward Current30A
Forward Voltage Max2.4V
Diode Module ConfigurationDual Isolated
Diode Case StyleSOT-227B
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Forward Surge Current200A
Diode MountingPanel
Product RangeDSEI
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Produktu pārskats
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Repetitive Peak Reverse Voltage
1kV
Forward Voltage Max
2.4V
Diode Case Style
SOT-227B
Operating Temperature Max
150°C
Diode Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Average Forward Current
30A
Diode Module Configuration
Dual Isolated
No. of Pins
4Pins
Forward Surge Current
200A
Product Range
DSEI
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.03