Drukāt lapu
IXFN200N10P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsIXYS SEMICONDUCTOR
Ražotāja detaļas Nr.IXFN200N10P
Pasūtījuma kods1427322
Produktu klāstsPolar(TM) HiPerFET
Tehnisko datu lapa
378 Noliktavā
300 Tagad varat rezervēt krājumus
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 27,100 € |
| 5+ | 23,470 € |
| 10+ | 19,840 € |
| 50+ | 19,160 € |
| 100+ | 18,470 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
27,10 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsIXYS SEMICONDUCTOR
Ražotāja detaļas Nr.IXFN200N10P
Pasūtījuma kods1427322
Produktu klāstsPolar(TM) HiPerFET
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product RangePolar(TM) HiPerFET
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktu pārskats
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
Lietošanas veidi
Power Management, Lighting
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
15V
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
Polar(TM) HiPerFET
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Germany
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.03
Produkta izsekojamība