Drukāt lapu
IXGH48N60C3C1
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 75 A, 2.5 V, 300 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsIXYS SEMICONDUCTOR
Ražotāja detaļas Nr.IXGH48N60C3C1
Pasūtījuma kods1829734
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation300W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
IXGH48N60C3C1 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
75A
Power Dissipation
300W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tehniskā dokumentācija (2)
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.006