Drukāt lapu
IXGP30N120B3
IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs nav pieejams noliktavā
Informācija par produktiem
RažotājsIXYS SEMICONDUCTOR
Ražotāja detaļas Nr.IXGP30N120B3
Pasūtījuma kods1829740
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage3.5V
Power Dissipation300W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
300W
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
3.5V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tehniskā dokumentācija (2)
Saistītie produkti
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.003