Drukāt lapu
L-7113SF7BT
Infrared Emitter, 850 nm, 20 °, Radial Leaded, 30 mW/Sr
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs nav pieejams noliktavā
Informācija par produktiem
RažotājsKINGBRIGHT
Ražotāja detaļas Nr.L-7113SF7BT
Pasūtījuma kods2478687
Tehnisko datu lapa
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity20°
Diode Case StyleRadial Leaded
Forward Current If(AV)20mA
Radiant Intensity (Ie)30mW/Sr
Forward Voltage VF Max1.6V
Rise Time-
Fall Time tf-
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktu pārskats
The SF7 Made with Gallium Aluminium Arsenide Infrared emitting diodes.
- Mechanically and spectrally matched to the phototransistor.
- Blue transparent lens.
Tehniskie parametri
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
Radial Leaded
Radiant Intensity (Ie)
30mW/Sr
Rise Time
-
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
20°
Forward Current If(AV)
20mA
Forward Voltage VF Max
1.6V
Fall Time tf
-
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000299