Drukāt lapu
IXGN200N170
IGBT Module, Single, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
127 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 58,270 € |
| 5+ | 55,850 € |
| 10+ | 53,420 € |
| 50+ | 51,000 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
58,27 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsLITTELFUSE
Ražotāja detaļas Nr.IXGN200N170
Pasūtījuma kods3930412
Tehnisko datu lapa
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current280A
DC Collector Current280A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.1V
Power Dissipation1.25kW
Power Dissipation Pd1.25kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktu pārskats
High voltage IGBT suitable for use in power inverters, UPS, motor drives, SMPS, PFC circuits and welding machines.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- High power density
- Low gate drive requirement
Tehniskie parametri
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
280A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.1V
Power Dissipation Pd
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
280A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Power Dissipation
1.25kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
SOT-227B
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Technology
-
Product Range
-
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:South Korea
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:South Korea
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000001
Produkta izsekojamība