Drukāt lapu
MSC400SMA330B4
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 11 A, 3.3 kV, 0.416 ohm, TO-247
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsMICROCHIP
Ražotāja detaļas Nr.MSC400SMA330B4
Pasūtījuma kods3997282
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Drain Source On State Resistance0.416ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.97V
Power Dissipation131W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
11A
Drain Source On State Resistance
0.416ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.97V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
131W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehniskā dokumentācija (3)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000001
Produkta izsekojamība