Drukāt lapu
BC846BPN,115
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
6 830 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 500+ | 0,0545 € |
| 1500+ | 0,0456 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 500
Vairāki: 5
32,25 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsNEXPERIA
Ražotāja detaļas Nr.BC846BPN,115
Pasūtījuma kods2069525RL
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN65V
Collector Emitter Voltage Max PNP65V
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The BC846BPN is a 100mA NPN-PNP General Purpose Transistor Pair in a very small surface-mount plastic package. It is suitable for use with general purpose switching and amplification.
- Low collector capacitance
- Low collector-emitter saturation voltage
- Closely matched current gain
- Reduces number of components and board space
- No mutual interference between the transistors
- AEC-Q101 qualified
- NPN-NPN complement is BC846BS
- PNP-PNP complement is BC856BS
Lietošanas veidi
Industrial, Automotive, Power Management
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
65V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
65V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000045
Produkta izsekojamība