Drukāt lapu
BCM857BS,115
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual PNP, 45 V, 100 mA
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
5 610 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 0,416 € |
| 50+ | 0,285 € |
| 100+ | 0,185 € |
| 500+ | 0,137 € |
| 1500+ | 0,114 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
2,08 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsNEXPERIA
Ražotāja detaļas Nr.BCM857BS,115
Pasūtījuma kods8734780
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP290hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP175MHz
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The BCM857BS is a dual PNP matched double Bipolar Transistor Array in a small surface-mount plastic package. The transistor is fully isolated internally and suitable for current mirror and differential amplifier.
- Current gain matching
- Base-emitter voltage matching
- Drop-in replacement for standard double transistors
Lietošanas veidi
Power Management, Industrial
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
290hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
175MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (3)
BCM857BS,115 alternatīvas
Atrasti 2 produkti
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000075
Produkta izsekojamība