Drukāt lapu
PBSS4140DPN,115
Bipolar Transistor Array, General Purpose, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 370 mW
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
4 320 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 100+ | 0,128 € |
| 500+ | 0,109 € |
| 1500+ | 0,0907 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 5
17,80 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsNEXPERIA
Ražotāja detaļas Nr.PBSS4140DPN,115
Pasūtījuma kods8739900RL
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN1A
Continuous Collector Current PNP1A
Power Dissipation NPN370mW
Power Dissipation PNP370mW
DC Current Gain hFE Min NPN300hFE
DC Current Gain hFE Min PNP300hFE
Transistor Case StyleSOT-457
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN150MHz
Transition Frequency PNP150MHz
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The PBSS4140DPN is a NPN-PNP low VCEsat Bipolar Transistor Array in a plastic package replaces two SOT23 packaged low VCEsat transistors on same PCB area. It is suitable for use in general purpose switching and muting, LCD backlighting, supply line switching circuits, battery driven equipment in mobile phones, video cameras and hand-held devices.
- Low collector-emitter saturation voltage
- High current capability
- Improved device reliability due to reduced heat generation
- Reduces required PCB area
Lietošanas veidi
Power Management, Consumer Electronics, Industrial
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current PNP
1A
Power Dissipation PNP
370mW
DC Current Gain hFE Min PNP
300hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
150MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Continuous Collector Current NPN
1A
Power Dissipation NPN
370mW
DC Current Gain hFE Min NPN
300hFE
Transistor Case Style
SOT-457
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
150MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (3)
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00007
Produkta izsekojamība