Drukāt lapu
PBSS4160DS,115
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 60 V, 1 A, 420 mW
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
1 830 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 0,372 € |
| 10+ | 0,237 € |
| 100+ | 0,161 € |
| 500+ | 0,123 € |
| 1000+ | 0,112 € |
| 5000+ | 0,0915 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
1,86 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsNEXPERIA
Ražotāja detaļas Nr.PBSS4160DS,115
Pasūtījuma kods1757960
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN60V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN1A
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN420mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN500hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-457
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN220MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
The PBSS4160DS,115 is a dual NPN breakthrough small signal (BISS) Bipolar Transistor Array in a surface-mount plastic package. It is suitable for dual low power switch applications. It utilizes required smaller printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- PBSS5160DS dual PNP complement
Lietošanas veidi
Automotive, Motor Drive & Control, Power Management, Industrial
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
60V
Continuous Collector Current NPN
1A
Power Dissipation NPN
420mW
DC Current Gain hFE Min NPN
500hFE
Transistor Case Style
SOT-457
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
220MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (4)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000006
Produkta izsekojamība