Drukāt lapu
PHPT610035NKX
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 100 V, 3 A, 1.25 W
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
2 602 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1,240 € |
| 10+ | 0,791 € |
| 100+ | 0,522 € |
| 500+ | 0,410 € |
| 1000+ | 0,409 € |
| 5000+ | 0,298 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1,24 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsNEXPERIA
Ražotāja detaļas Nr.PHPT610035NKX
Pasūtījuma kods2498611
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN100V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN3A
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN1.25W
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN10hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-1205
No. of Pins8Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max175°C
Transition Frequency NPN140MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktu pārskats
These high power bipolar transistors, housed in LFPAK56 (Power-S08/SOT669) packages, deliver DPAK-like thermal and electrical performance in just half the footprint. Offering reliable, energy-efficient performance, they are AEC-Q101 qualified and support high-temperature operation (175 °C).
- High power dissipation (Ptot)
- Suitable for high-temperature applications (175 °C)
- Space-saving 5 x 6 mm package outline is half the size of equivalent transistors in DPAK, SOT223, and other packages
- Low profile (1 mm)
- High reliability and mechanical ruggedness thanks to solid copper clip (no wires)
- High energy efficiency due to less heat generation
- AEC-Q101 qualified
- Growing, furtureproof portfolio
Lietošanas veidi
Power Management, Motor Drive & Control, LED Lighting, Automotive
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
175°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
100V
Continuous Collector Current NPN
3A
Power Dissipation NPN
1.25W
DC Current Gain hFE Min NPN
10hFE
Transistor Case Style
SOT-1205
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
140MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00003
Produkta izsekojamība