Drukāt lapu
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsNXP
Ražotāja detaļas Nr.AFT20S015GNR1
Pasūtījuma kods2890592
Produktu klāstsAFT20S015GN
Tehnisko datu lapa
101 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
Daudzums | |
---|---|
1+ | 25,050 € |
5+ | 24,700 € |
10+ | 22,640 € |
50+ | 21,540 € |
100+ | 20,800 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
25,05 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsNXP
Ražotāja detaļas Nr.AFT20S015GNR1
Pasūtījuma kods2890592
Produktu klāstsAFT20S015GN
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation11W
Operating Frequency Min1.805GHz
Operating Frequency Max2.7GHz
Transistor Case StyleTO-270G
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product RangeAFT20S015GN
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
11W
Operating Frequency Max
2.7GHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
AFT20S015GN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.805GHz
Transistor Case Style
TO-270G
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0003
Produkta izsekojamība