Drukāt lapu
Informācija par produktiem
RažotājsNXP
Ražotāja detaļas Nr.BAP1321-04,215
Pasūtījuma kods1757788
Produktu klāstsBAP13
Tehnisko datu lapa
Diode ConfigurationDual Series
Resistance @ If0.85ohm
Reverse Voltage60V
Diode Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Diode Capacitance0.325pF
Forward Current50mA
Operating Temperature Max150°C
Forward Voltage1.1V
Power Dissipation250mW
Diode MountingSurface Mount
Product RangeBAP13
Produktu pārskats
The BAP1321-04,215 is a Silicon PIN Diode with ultra-small SMD plastic package. It has high voltage current controlled device. It is suitable for RF attenuators and switches and for applications up to 3GHz.
- RF resistor for RF attenuators and switches
- Low diode capacitance
- Low diode forward resistance
- Very low series inductance
- -65 to 150°C Junction temperature range
Lietošanas veidi
RF Communications, Power Management, Industrial
Tehniskie parametri
Diode Configuration
Dual Series
Reverse Voltage
60V
No. of Pins
3 Pin
Forward Current
50mA
Forward Voltage
1.1V
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Resistance @ If
0.85ohm
Diode Case Style
SOT-23
Diode Capacitance
0.325pF
Operating Temperature Max
150°C
Power Dissipation
250mW
Product Range
BAP13
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000006