Drukāt lapu
BF511,215
RF FET Transistor, 20 V, 7 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23)
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Informācija par produktiem
RažotājsNXP
Ražotāja detaļas Nr.BF511,215
Pasūtījuma kods1758054
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id7mA
Power Dissipation250mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-236AB (SOT-23)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
20V
Power Dissipation
250mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
7mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-236AB (SOT-23)
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000006