Drukāt lapu
MRF101AN
RF FET Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsNXP
Ražotāja detaļas Nr.MRF101AN
Pasūtījuma kods2985308
Produktu klāstsMRF101AN; MRF101BN
Tehnisko datu lapa
519 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
.
.
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 105,150 € |
| 5+ | 92,010 € |
| 10+ | 76,240 € |
| 50+ | 68,350 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
105,15 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsNXP
Ražotāja detaļas Nr.MRF101AN
Pasūtījuma kods2985308
Produktu klāstsMRF101AN; MRF101BN
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds133V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation182W
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max250MHz
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeMRF101AN; MRF101BN
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
These devices are designed for use in VHF/UHF communications, VHF TV broadcast and aerospace applications as well as industrial, scientific and medical applications. The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250 MHz.
- Mirror pinout versions (A and B) to simplify use in a push-pull, two-up configuration
- Characterized from 30 to 50 V
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
Lietošanas veidi
Industrial, Communications & Networking
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
133V
Power Dissipation
182W
Operating Frequency Max
250MHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
MRF101AN; MRF101BN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000907
Produkta izsekojamība