Drukāt lapu
MRF1513NT1
RF FET Transistor, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Informācija par produktiem
RažotājsNXP
Ražotāja detaļas Nr.MRF1513NT1
Pasūtījuma kods1577894
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation31.25W
Operating Frequency Min450MHz
Operating Frequency Max520MHz
Transistor Case StylePLD-1.5
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Produktu pārskats
The MRF1513NT1 is a N-channel RF Power FET designed for broadband applications with frequencies to 520MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5V portable and 12.5V mobile FM equipment.
- Excellent thermal stability
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
- 3W Output power
- 15dB Power gain
- 65% Efficiency
Lietošanas veidi
Industrial, Commercial, Power Management
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
31.25W
Operating Frequency Max
520MHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
450MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000352
Produkta izsekojamība