Drukāt lapu
MRFE6VP61K25HR6
RF FET Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
108 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 235,500 € |
| 5+ | 230,790 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
235,50 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsNXP
Ražotāja detaļas Nr.MRFE6VP61K25HR6
Pasūtījuma kods2776247
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds133VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation1.333kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleNI-1230H-4S
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
MRFE6VP61K25HR6 is a wideband RF power LDMOS transistor in a 4 pin NI-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600 MHz.
- Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large signal impedance parameters
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Power Dissipation
1.333kW
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-1230H-4S
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (3)
MRFE6VP61K25HR6 alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.009475
Produkta izsekojamība