Drukāt lapu
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
3 026 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 0,625 € |
| 10+ | 0,360 € |
| 25+ | 0,340 € |
| 50+ | 0,321 € |
| 100+ | 0,301 € |
| 500+ | 0,248 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
0,62 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
Produktu pārskats
The 4N35-M is a through hole general purpose phototransistor optocoupler in 6 pin DIP package. This optocoupler consist of gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon photo transistor. The device is mostly suitable for power supply regulators, digital logic inputs and microprocessor inputs.
- Minimum current transfer ratio of 100% at IF=10A, Vce=10V
- Isolation voltage of 4.17KVAC
- Forward current (If) of 60mA
- Single channel
- UL 1577 and DIN-EN IEC60747-5-5 approved
- Operating temperature range from -40°C to 100°C
Tehniskie parametri
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Optocoupler Case Style
DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
100%
Product Range
-
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Thailand
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Thailand
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002177
Produkta izsekojamība