Drukāt lapu
FDMS86255
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.FDMS86255
Pasūtījuma kods2825179
Produktu klāstsPowerTrench
Tehnisko datu lapa
14 769 Noliktavā
105 Tagad varat rezervēt krājumus
.
.
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 3,060 € |
| 10+ | 2,470 € |
| 100+ | 2,050 € |
| 500+ | 1,830 € |
| 1000+ | 1,770 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 1
Vairāki: 1
3,06 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.FDMS86255
Pasūtījuma kods2825179
Produktu klāstsPowerTrench
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.0124ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation113W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
FDMS86255 is a N-channel, shielded gate, POWERTRENCH MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using onsemi advanced POWERTRENCH process that incorporates shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. Typical applications are OringFET / load switching, synchronous rectification, DC-DC conversion.
- Advanced package and silicon combination for low RDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source voltage is 150V at TA = 25°C
- Gate to source voltage is ±20V at TA = 25°C
- Drain current is 62A at continuous, TC = 25°C
- Single pulse avalanche energy is 541mJ at TA = 25°C
- Power dissipation is 113W at TC = 25°C
- PQFN8 package
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
113W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0124ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0004