Drukāt lapu
FGA60N65SMD
IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
533 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 6,470 € |
| 10+ | 4,570 € |
| 100+ | 4,140 € |
| 500+ | 3,700 € |
| 1000+ | 3,290 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
6,47 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.FGA60N65SMD
Pasūtījuma kods2825136
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current120A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation600W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-3PN
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
120A
Power Dissipation
600W
Transistor Case Style
TO-3PN
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.007439
Produkta izsekojamība