Drukāt lapu
FGA6530WDF
IGBT, 60 A, 1.8 V, 176 W, 650 V, TO-3PL, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.FGA6530WDF
Pasūtījuma kods3615738
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation176W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-3PL
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
176W
Transistor Case Style
TO-3PL
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tehniskā dokumentācija (3)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Nē
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Nē
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.1