Drukāt lapu
FGB3245G2-F085
IGBT, 41 A, 1.25 V, 150 W, 450 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 24 nedēļa(-s)
| Daudzums | |
|---|---|
| 800+ | 1,640 € |
Cena par:Each (Supplied on Full Reel)
Minimāli: 800
Vairāki: 800
1 312,00 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.FGB3245G2-F085
Pasūtījuma kods3615749
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current41A
Collector Emitter Saturation Voltage1.25V
Power Dissipation150W
Collector Emitter Voltage Max450V
Transistor Case StyleTO-263AB (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
41A
Power Dissipation
150W
Transistor Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.25V
Collector Emitter Voltage Max
450V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Philippines
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.1
Produkta izsekojamība