Drukāt lapu
MMBTA13LT1G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
15 853 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 500+ | 0,0508 € |
| 1500+ | 0,0449 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 500
Vairāki: 5
30,40 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.MMBTA13LT1G
Pasūtījuma kods2464055RL
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Power Dissipation Pd225mW
Continuous Collector Current300mA
DC Collector Current300mA
Power Dissipation225mW
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE10000hFE
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min10000hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Produktu pārskats
The MMBTA13LT1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Lietošanas veidi
Industrial, Power Management, Automotive
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Continuous Collector Current
300mA
Power Dissipation
225mW
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation Pd
225mW
DC Collector Current
300mA
RF Transistor Case
SOT-23
DC Current Gain hFE
10000hFE
DC Current Gain hFE Min
10000hFE
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehniskā dokumentācija (2)
MMBTA13LT1G alternatīvas
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.001
Produkta izsekojamība