Drukāt lapu
MMUN2233LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
943 097 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 0,114 € |
| 10+ | 0,0676 € |
| 100+ | 0,0419 € |
| 500+ | 0,0281 € |
| 1000+ | 0,0246 € |
| 5000+ | 0,0175 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
0,57 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.MMUN2233LT1G
Pasūtījuma kods1651085
Tehnisko datu lapa
Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R14.7kohm
Base Emitter Resistor R247kohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min80hFE
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
MMUN2233LT1G is an MMUN2233L series NPN transistor with a monolithic bias resistor network digital transistor. It is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
- Simplifies circuit design, reduces board space, reduces component count
- Collector-base voltage is 50VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Collector-emitter voltage is 50VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Collector current - continuous is 100mAdc max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input forward voltage is 30VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input reverse voltage is 5VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Total device dissipation is 230mW max (TA = 25°C)
- DC current gain is 200 (IC = 5.0mA, VCE = 10V, TA = 25°C)
- Input resistor range from 3.3 to 6.1kohm (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- SOT-23 package, junction temperature range from -55 to +150°C
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
4.7kohm
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
47kohm
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehniskā dokumentācija (2)
MMUN2233LT1G alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000008
Produkta izsekojamība