Drukāt lapu
NTH4L060N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NTH4L060N065SC1
Pasūtījuma kods3973626
Produktu klāstsEliteSiC Series
Tehnisko datu lapa
401 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 8,590 € |
| 5+ | 8,360 € |
| 10+ | 8,130 € |
| 50+ | 5,570 € |
| 100+ | 5,270 € |
| 250+ | 4,960 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
8,59 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NTH4L060N065SC1
Pasūtījuma kods3973626
Produktu klāstsEliteSiC Series
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation176W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
176W
Product Range
EliteSiC Series
Tehniskā dokumentācija (2)
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0001
Produkta izsekojamība