Drukāt lapu
NVD5802NT4G-VF01
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 101 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs netiek ražots
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NVD5802NT4G-VF01
Pasūtījuma kods3616612
Tehnisko datu lapa
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id101A
Drain Source On State Resistance4400µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation93.75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tehniskie parametri
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
101A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
93.75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
4400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Vietnam
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Vietnam
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.1
Produkta izsekojamība