Drukāt lapu
NXV08V080DB1
MOSFET Transistor, 130 A, 80 V, 3000 µohm, 10 V, 4 V
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NXV08V080DB1
Pasūtījuma kods3617527
Jūsu daļas numurs
Tehnisko datu lapa
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 13 nedēļa(-s)
| Daudzums | |
|---|---|
| 44+ | 17,470 € |
Cena par:Tube of 1
Minimāli: 44
Vairāki: 44
768,68 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NXV08V080DB1
Pasūtījuma kods3617527
Tehnisko datu lapa
Channel Type-
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source On State Resistance3000µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tehniskie parametri
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
130A
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.1
Produkta izsekojamība