Drukāt lapu
NXV65HR51DZ2
MOSFET Transistor, 33 A, 650 V, 0.051 ohm, 10 V, 5 V
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NXV65HR51DZ2
Pasūtījuma kods3617529
Jūsu daļas numurs
Tehnisko datu lapa
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 12 nedēļa(-s)
| Daudzums | |
|---|---|
| 72+ | 25,630 € |
Cena par:Tube of 1
Minimāli: 72
Vairāki: 72
1 845,36 € (bez PVN)
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NXV65HR51DZ2
Pasūtījuma kods3617529
Tehnisko datu lapa
Channel Type-
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.051ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation135W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tehniskie parametri
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
135W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.051ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.1