Drukāt lapu
SMMBT3904LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
167 587 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 5+ | 0,0952 € |
| 10+ | 0,0485 € |
| 100+ | 0,0295 € |
| 500+ | 0,0271 € |
| 1000+ | 0,0243 € |
| 5000+ | 0,0214 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 5
Vairāki: 5
0,48 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.SMMBT3904LT1G
Pasūtījuma kods2533347
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation300mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
SMMBT3904LT1G is a NPN general purpose transistor in a 3 pin SOT-23 package.
- Collector-emitter voltage is 40VDC
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Collector current - continuous is 200mA DC
- Collector-base voltage VCBO is 60VDC, emitter-base voltage VEBO is 6.0VDC
- Collector-emitter breakdown voltage (IC = 1.0mAdc, IB = 0) is 40V
- Current gain bandwidth product (IC = 10mAdc, VCE = 20Vdc, f = 100MHz) is 300MHz
- Noise figure (VCE = 5.0Vdc, IC = 100Adc, RS = 1Kohms, f = 1.0KHz) is 5.0dB
- Collector cutoff current (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc) is 50nAdc
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
300mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehniskā dokumentācija (2)
SMMBT3904LT1G alternatīvas
Atrasti 3 produkti
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000363
Produkta izsekojamība