Drukāt lapu
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.MBRB2515LG
Pasūtījuma kods1431085
Produktu klāstsMBRB2
Tehnisko datu lapa
Repetitive Peak Reverse Voltage15V
Average Forward Current25A
Diode ConfigurationSingle
Diode Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Forward Voltage Max450mV
Forward Surge Current150A
Operating Temperature Max100°C
Diode MountingSurface Mount
Product RangeMBRB2
Qualification-
MBRB2515LG alternatīvas
Atrasti 2 produkti
Produktu pārskats
The MBRB2515LG is a SWITCHMODE™ Power Rectifier O-ring Function Diode with epoxy moulded case. It employs the Schottky barrier principle in a large metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for use in low voltage, high frequency switching power supplies, free-wheeling diodes and polarity protection diodes.
- Guard-ring for stress protection
- Low forward voltage
- All external surfaces corrosion-resistant
- UL94V-0 Flammability rating
Lietošanas veidi
Power Management, Industrial
Tehniskie parametri
Repetitive Peak Reverse Voltage
15V
Diode Configuration
Single
No. of Pins
3Pins
Forward Surge Current
150A
Diode Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Average Forward Current
25A
Diode Case Style
TO-263 (D2PAK)
Forward Voltage Max
450mV
Operating Temperature Max
100°C
Product Range
MBRB2
Tehniskā dokumentācija (4)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00143