Drukāt lapu
NGD15N41CLT4G
IGBT, 15 A, 2.1 V, 107 W, 410 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs nav pieejams noliktavā
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NGD15N41CLT4G
Pasūtījuma kods1703995
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current15A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation107W
Collector Emitter Voltage Max410V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
15A
Power Dissipation
107W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage Max
410V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.00023