Drukāt lapu
NTB7D3N15MC
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 101 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NTB7D3N15MC
Pasūtījuma kods3787292RL
Produktu klāstsPowerTrench
Tehnisko datu lapa
850 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 100+ | 1,710 € |
| 500+ | 1,540 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 100
Vairāki: 1
176,00 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NTB7D3N15MC
Pasūtījuma kods3787292RL
Produktu klāstsPowerTrench
Tehnisko datu lapa
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id101A
Drain Source On State Resistance6000µohm
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation166W
Power Dissipation Pd166W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
150V, 101A N-channel shielded gate PowerTrench® MOSFET is typically used in synchronous rectification for ATX / server / telecom PSU, motor drives, uninterruptible power supplies and micro solar inverters.
- Shielded gate MOSFET technology, optimized switching performance
- Max RDS(on) = 7.3mohm at VGS = 10V, ID = 62A
- Industry’s lowest Qrr and softest body-diode for superior low noise switching
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- High efficiency with lower switching spike and EMI
- Lowers switching noise/EMI, improved switching FOM particularly Qgd
- 100% UIL tested
- No need or less snubber
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
6000µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
166W
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
101A
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
166W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.0001
Produkta izsekojamība