Drukāt lapu
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 20 nedēļa(-s)
Paziņot, kad atkal ir krājumā
Daudzums | |
---|---|
2500+ | 0,346 € |
7500+ | 0,330 € |
Cena par:Each (Supplied on Full Reel)
Minimāli: 2500
Vairāki: 2500
865,00 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NTD25P03LT4G
Pasūtījuma kods2442188
Tehnisko datu lapa
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.072ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
The NTD25P03LT4G is a -30V P-channel Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The source to drain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode.
- AEC-Q101 qualified
Lietošanas veidi
Motor Drive & Control, Power Management
Tehniskie parametri
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.072ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehniskā dokumentācija (2)
NTD25P03LT4G alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000456
Produkta izsekojamība