Drukāt lapu
NTUD3169CZT5G
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Pieejams pasūtījumiem
Ražotāja standarta izpildes laiks: 20 nedēļa(-s)
Paziņot, kad atkal ir krājumā
| Daudzums | |
|---|---|
| 8000+ | 0,105 € |
| 24000+ | 0,103 € |
Cena par:Each (Supplied on Full Reel)
Minimāli: 8000
Vairāki: 8000
840,00 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NTUD3169CZT5G
Pasūtījuma kods2442268
Tehnisko datu lapa
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.75ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.75ohm
Transistor Case StyleSOT-963
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel125mW
Power Dissipation P Channel125mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
The NTUD3169CZT5G is a N/P-channel complementary MOSFET offers a low RDS (ON) solution in the ultra small package. It is suitable for load switch with level shift applications.
- 1.5V Gate voltage rating
- Ultra thin profile (<lt/>0.5mm)
- Fit easily into extremely thin environments such as portable electronics
Lietošanas veidi
Industrial, Power Management, Portable Devices
Tehniskie parametri
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.75ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
125mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.75ohm
Transistor Case Style
SOT-963
Power Dissipation N Channel
125mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:China
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.001
Produkta izsekojamība