Drukāt lapu
NXH50C120L2C2ESG
IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 50 A, 1.8 V, 150 °C, DIP
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
3 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 73,650 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
73,65 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.NXH50C120L2C2ESG
Pasūtījuma kods3464034
Tehnisko datu lapa
Transistor PolaritySix N Channel
IGBT ConfigurationThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
DC Collector Current50A
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleDIP
IGBT TerminationSolder
No. of Pins26Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktu pārskats
Brīdinājumi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehniskie parametri
Transistor Polarity
Six N Channel
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
IGBT Configuration
Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
DIP
No. of Pins
26Pins
IGBT Technology
-
Product Range
-
Tehniskā dokumentācija (3)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Malaysia
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002
Produkta izsekojamība