Drukāt lapu
QRD1114
Reflective Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.7 Vf
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
1 163 Noliktavā
5 300 Tagad varat rezervēt krājumus
Piegāde 1–2 darbdienu laikā
Uz pasūtījumiem līdz plkst. 17:00 attiecas standarta piegādes
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1,290 € |
| 10+ | 1,010 € |
| 25+ | 0,958 € |
| 50+ | 0,906 € |
| 100+ | 0,854 € |
| 500+ | 0,796 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1,29 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsONSEMI
Ražotāja detaļas Nr.QRD1114
Pasūtījuma kods1467858
Tehnisko datu lapa
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width-
Sensing Distance1.27mm
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Forward Current If50mA
Reverse Voltage Vr5V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Forward Voltage1.7V
Collector Current IC Max1mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktu pārskats
The QRD1114 is a Reflective Object Sensor consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon photodarlington mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face of the QRD1114. The photodarlington responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- Phototransistor Output
- No Contact Surface Sensing
- Unfocused for Sensing Diffused Surfaces
- Daylight Filter on Sensor
Lietošanas veidi
Automation & Process Control, Building Automation, Medical, Test & Measurement
Tehniskie parametri
Sensing Method
Reflective
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Reverse Voltage Vr
5V
Collector Emitter Voltage Max
30V
Forward Voltage
1.7V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
-
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Collector Current IC Max
1mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Thailand
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Thailand
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000318
Produkta izsekojamība