Drukāt lapu
HGTP12N60A4D.
IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
Vairs nav pieejams noliktavā
Informācija par produktiem
RažotājsRENESAS
Ražotāja detaļas Nr.HGTP12N60A4D.
Pasūtījuma kods3020666
Tehnisko datu lapa
Continuous Collector Current54A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation167W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
HGTP12N60A4D. alternatīvas
Atrasts 1 produkts
Tehniskie parametri
Continuous Collector Current
54A
Power Dissipation
167W
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tehniskā dokumentācija (2)
Saistītie produkti
Atrasti 2 produkti
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:United States
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Nē
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jāiesaka
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.002