Drukāt lapu
BSM600C12P3G201
Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
2 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
ĀTRĀ piegāde 1–2 darba dienu laikā
Pasūtiet līdz plkst. 17.00
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
Pieejams, kamēr ir noliktavā
| Daudzums | |
|---|---|
| 1+ | 1 083,000 € |
Cena par:Each
Minimāli: 1
Vairāki: 1
1 083,00 € (bez PVN)
Pievienot daļas nr. /rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Šis skaits tiks pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam, izsūtīšanas piezīmei, tiešsaistes apstiprinājuma e-pastam un preces marķējumam.
Informācija par produktiem
RažotājsROHM
Ražotāja detaļas Nr.BSM600C12P3G201
Pasūtījuma kods3573232
Tehnisko datu lapa
MOSFET Module ConfigurationChopper
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id600A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation2.46kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktu pārskats
BSM600C12P3G201 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.8V typical on-state static drain-source voltage (Tj=25°C, ID=600A,VGS=18V)
- 10uA maximum drain cut-off current (VDS=1200V,VGS=0V, Tj=25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 2.7V to 5.6V (VDS=10V, ID=182mA, Tj=25°C)
- 2.8nF input capacitance typical (VDS=10V, VGS=0V, 100KHz, Tj=25°C)
- 70ns switching characteristics typical (Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate, f=60Hz AC 1min)
- 1.4ohm typical gate resistance (Tj=25°C)
- Junction temperature range from -40°C to150°C
Tehniskie parametri
MOSFET Module Configuration
Chopper
Continuous Drain Current Id
600A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
2.46kW
Product Range
-
Tehniskā dokumentācija (2)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Japan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Japan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Jā
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.28
Produkta izsekojamība