Drukāt lapu
GNP1070TC-ZE2
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Surface Mount
Attēls ir tikai kā piemērs. Lūdzu, skatiet produkta aprakstu.
117 Noliktavā
Nepieciešams vairāk?
.
.
BEZMAKSAS standarta piegāde
pasūtījumiem virs 0,00 €
Precīzs piegādes laiks tiks noteikts norēķināšanās brīdī
Pieejams, kamēr ir noliktavā
| Daudzums | |
|---|---|
| 10+ | 6,300 € |
| 50+ | 6,110 € |
| 100+ | 5,070 € |
Cena par:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimāli: 10
Vairāki: 1
68,00 € (bez PVN)
5,00 € pārtīšanas maksa tiks pievienota šī produkta cenai
rindas piezīmi
Pievienots pasūtījuma apstiprinājumam, rēķinam un izsūtīšanas piezīmei tikai šim pasūtījumam.
Informācija par produktiem
RažotājsROHM
Ražotāja detaļas Nr.GNP1070TC-ZE2
Pasūtījuma kods4172944RL
Tehnisko datu lapa
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Typical Gate Charge5.2nC
Transistor Case StyleDFN8080K
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehniskie parametri
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
DFN8080K
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
20A
Typical Gate Charge
5.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Tehniskā dokumentācija (1)
Tiesību akti un vides aizsardzība
Izcelsmes valsts:
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Taiwan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas processIzcelsmes valsts:Taiwan
Valsts, kurā veikts pēdējais nozīmīgais ražošanas process
Tarifa Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Atbilst RoHS:Y-Ex
RoHS
Atbilst RoHS prasībām attiecībā uz ftalātiem:Jā
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lejupielādēt produkta atbilstības sertifikātu
Produkta atbilstības sertifikāts
Svars (kg):.000012